根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，由于供过于求的市况，DRAM产业大部分交易已经改为月结价(Monthly Deals)，2月份更罕见出现价格大幅下修。目前季跌幅从原先预估的25%调整至逼近30%，是继2011年以来单季最大跌幅。

DRAMeXchange指出，从市场面来观察，整体合约价自去年第四季开始下跌，随后库存水位持续攀升。近期DRAM原厂库存（含wafer bank）普遍来到至少一个半月的高水位。同时，Intel低端CPU缺货情况预期将延续至今年第三季末。在需求受到压抑的情况下，PC-OEM也无法消化供货商的DRAM颗粒，整体市场呈现出“无量下跌”的窘况。这代表即使原厂愿意大幅降价求售，也无法有效刺激销量。如果需求没有强劲回归，高库存水位将导致今年DRAM价格持续下修。

放眼一至二年后的DRAM市场，三大厂在市占率上的竞争不会停歇。SK海力士日前宣布将斥资120兆韩元（约1,070亿美元）兴建4家晶圆厂，维持竞争优势。美光集团则加码于台湾兴建封测厂，同时在台中后里的台湾美光内存，正考虑新建全新的12寸DRAM厂，最快可能于明年年底完工，2021年可以放量。而最大厂三星目前也正在兴建平泽二厂。

大者恒大已是DRAM市场不变的趋势，加上新竞争者挟带充沛资源与资金，规模较小的DRAM厂如果制程与规模上无法跟进，在不久的将来即可能面临边缘化的风险。

展望第二季以及第三季，除了受惠Android / iPhone双阵营旗舰新机备料带动单机搭载容量提升外，也同时受惠传统市场旺季，整体需求将转趋热络，预估合约价跌幅将较第一季收敛，不过考虑到今年智能手机总生产数量将呈现负成长，中、低阶手机平均搭载容量成长有限，第二、三季的合约价格依旧难以止跌。

而就利基型存储器价格走势来看，农历假期过后，中国有部分机上盒、网通标案订单出现带动小量拉货需求，然一次性标案结束后，整体需求仍然疲软。DDR3供给仍高于需求的情况下，预期今年第二季与三季利基型存储器价格仍将分别走跌15%与10%。

对于分销商来说机会和风险并存，机会就是大跌的时候就是买入的时候，可以适当的提高库存量，以待市场缺货的来临，风险就是等待下一个暴涨周期长，资金压力大。